首頁>>鄭州成越科學(xué)儀器有限公司>>產(chǎn)品展示>>PECVD氣相沉積系統(tǒng)>>半導(dǎo)體PECVD設(shè)備
半導(dǎo)體PECVD設(shè)備 參考價：面議
半導(dǎo)體PECVD設(shè)備采用等離子體增強型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，能夠利用高能量等離子體促進(jìn)反應(yīng)過程，有效提升反應(yīng)速度，降低反應(yīng)溫度。適用于在光學(xué)玻璃、硅、石英以及不銹鋼...
半導(dǎo)體CVD設(shè)備 參考價：60000
半導(dǎo)體CVD設(shè)備采用等離子體增強型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，基本溫度低，沉積速率快，在光學(xué)玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜。(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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