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　　北京儀光科技，專注顯微形貌分析！　　北京儀光科技有限公司是一家專門從事三維共聚焦白光干涉輪廓儀、臺式掃描電鏡/臺階儀/電鏡原位分析、各進口及國產品牌的金相顯微鏡、體式顯微鏡、偏光顯微鏡、超景深顯微鏡、大型掃描電子顯微鏡、超薄切片機、清潔度分析儀、金相及巖相制樣設備、顯微相機、冷熱臺、陰極發光臺、光學平臺等各類型科研分析儀器。提供制樣、顯微觀察、三維形貌分析和特殊應用檢測等全套分析檢測解決方案。　　我司代理西班牙Sensofar三維共聚焦白光干涉儀、德國徠卡等進口及國產各類型光學顯微鏡、安徽澤攸臺式掃描電鏡&臺階儀&電鏡原位分析、美國RMC超薄切片機/半薄切片機、德國蔡司大型掃描電鏡、丹麥司特爾金相制樣、英國Linkam冷熱臺、陰極發光臺、防震平臺等材料制備及微觀分析儀器。我們的客戶涵蓋高校、科研院所、農林、醫療、石油... 了解詳情

2026 05-13

澤攸科技ZEM系列掃描電鏡如何助攻壓電材料性能突破？

在精密制造、半導體裝備、航空航天等jian端領域，實現納米級的精準定位與力量輸出，離不開壓電驅動器這顆“精密心臟”。然而，這顆“心臟”在高負荷、變溫等ji端工況下，其核心材料——高性能壓電陶瓷的微觀結

2026 03-06
澤攸科技ZEM系列臺式掃描電鏡助力稀土鎂合金研究
在gao端結構材料研發領域，掃描電鏡作為微觀結構分析的"眼睛"，其性能直接關系到科研突破的深度與效率。澤攸科技自主研發的ZEM系列掃描電鏡，近日在一項稀土鎂合金重大研究中發揮了關鍵作用，助力科研團隊首
2026 01-30
澤攸科技JS系列臺階儀助力突破！復旦大學團隊實現錫基鈣鈦礦晶體管重大突破
在“十四五”規劃與2035年遠景目標指引下，我國半導體產業正加速攻克關鍵核心技術。錫基鈣鈦礦作為新型無鉛半導體材料，因其優異特性被視為實現彎道超車的重要方向，但其實際應用一直受限于Sn2?易氧化、結晶
2026 01-12
澤攸原位TEM測量系統幫助科學家在室溫下實現極性斯格明子包的可控構建
隨著大數據、人工智能等技術的快速發展，全qiou數據存儲需求呈現爆炸式增長，傳統存儲技術逐漸面臨密度與穩定性的雙重瓶頸。在追求更高存儲密度和更低能耗的道路上，拓撲學為新一代存儲器提供了全新思路。其中，
2025 11-27
案例分享 | 低溫電源技術突破：臺式電鏡實現電池毫秒級激活
在應急救援、軍事設備等關鍵領域，儲備電源如同設備的“心臟”，必須在條件下提供穩定電力。傳統鉛酸系統雖成本低廉、技術成熟，卻在低溫環境下表現不佳，激活時間延長成為制約其應用的主要瓶頸。近日，一項創新研究

07-262026
奧林巴斯超景深顯微鏡維護手冊：光學系統清潔與校準全流程
精密光學儀器性能的穩定，依賴于規范化的維護流程。奧林巴斯超景深顯微鏡作為納米級觀測設備，其光學系統的清潔與校準直接決定成像質量與測量精度。本文詳解維護核心步驟，助力用戶延長設備壽命，保障觀測數據的可靠
07-232026
Sensofar 光學輪廓儀微觀形貌檢測應用淺析
一、零部件表面微觀形貌直接影響產品摩擦性能、密封性、鍍膜附著力、耐腐蝕性等關鍵指標。接觸式輪廓儀易劃傷軟質樣品，掃描電鏡往往需要復雜前處理，而Sensofar光學輪廓儀依托非接觸式三維光學測量原理，可
07-112026
從組織到電鏡樣本：美國RMC超薄切片機的操作流程與刀頭維護
超薄切片是電鏡樣本制備的核心環節，操作規范性與刀頭維護直接影響切片質量與設備壽命。美國RMC超薄切片機雖具備良好性能，但需遵循標準化流程與精細化維護方能發揮最佳效能。本文詳解其操作流程與刀頭維護要點，
06-242026
美國RMC半薄切片機常見故障及刀架校準方法
在透射電鏡（TEM）及光學顯微鏡的樣品制備流程中，半薄切片的質量直接決定了后續超薄切片定位的精準度與觀察效果。美國RMC半薄切片機憑借其高穩定的機械推進系統和精細的控制系統，在生命科學、材料研究及法醫
06-202026
Linkam冷熱臺與偏光顯微鏡聯用的操作技巧
Linkam冷熱臺與偏光顯微鏡的原位耦合，本質上是把一臺精密控溫熱臺變成偏光光路中的一個透明窗口——讓溫度場與偏振光學響應在同一視場里實時交匯。這套組合之所以在礦物包裹體測溫、液晶織構演化、結晶動力學
06-102026
S neox 光學輪廓儀，科研與質檢好幫手
在材料研發、精密制造、電子元器件、光學器件等領域，工件表面形貌、粗糙度、三維輪廓、臺階高度等參數，是評判產品性能、工藝優劣的重要依據。傳統接觸式測量方式易劃傷樣品、測量范圍有限，難以適配高精度檢測需求
05-282026
白光干涉共聚焦顯微鏡使用要點
一、開機前準備檢查白光干涉共聚焦顯微鏡供電、數據線、光路接口是否連接牢固，確認工作臺平穩無雜物。清理載物臺、物鏡表面，避免灰塵、污漬影響成像；根據樣品尺寸準備適配載玻片、夾具。核對環境條件：保持實驗室
05-252026
Sensofar白光干涉共聚焦在半導體晶圓表面粗糙度檢測中的應用與行業標準對標
在先進半導體制程不斷向物理極限逼近的當下，晶圓表面的微觀起伏已不再是可忽略的背景噪聲，而是直接制約柵極氧化層質量、載流子遷移率及光刻對焦精度的關鍵變量。表面粗糙度控制往往需達到亞納米級，這對檢測設備的

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